垂直型III-V族超晶格材料、具有超晶格分布的InGaAsSb四元合金及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010846114.3 申請日 -
公開（公告）號 CN111934200A 公開（公告）日 2020-11-13
申請公布號 CN111934200A 申請公布日 2020-11-13
分類號 H01S5/34(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 杜鵬 申請（專利權(quán)）人 湖南科萊特光電有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 湖南科萊特光電有限公司
地址 410000湖南省長沙市雨花區(qū)振華路579號康庭園一期18號棟北側(cè)一層、二層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種垂直型III?V族超晶格材料、具有超晶格分布的InGaAsSb四元合金及制備方法，涉及半導(dǎo)體材料技術(shù)領(lǐng)域，本發(fā)明的垂直型III?V族超晶格材料包括：具有傾角且呈臺階狀的襯底，以及，位于襯底上且垂直襯底的超晶格半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；超晶格半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括垂直襯底分布且交替疊置的第一材料豎層和第二材料豎層，襯底的每個臺階上分布有一個周期的第一材料豎層和第二材料豎層，第一材料豎層和所述第二材料豎層形成超晶格結(jié)構(gòu)；第一材料豎層包括重復(fù)層疊生長的第一材料單分子層；第二材料豎層包括重復(fù)層疊生長的第二材料單分子層；第一材料和第二材料為不同的III?V族化合物。這種新型超晶格結(jié)構(gòu)具有縱向的載流子傳輸優(yōu)勢。??