InAs/InAsSbII類超晶格材料及其制備方法和紅外波段探測器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011445045.1 申請日 -
公開（公告）號 CN112563352A 公開（公告）日 2021-03-26
申請公布號 CN112563352A 申請公布日 2021-03-26
分類號 H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/102(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 杜鵬 申請（專利權）人 湖南科萊特光電有限公司
代理機構 北京超凡宏宇專利代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 王闖
地址 410000湖南省長沙市雨花區(qū)振華路579號康庭園一期18號棟北側一層、二層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種InAs/InAsSb II類超晶格材料及其制備方法和紅外波段探測器。InAs/InAsSb II類超晶格材料，包括層疊設置的InAs層和InAsSb層；InAsSb層包括至少一個單分子層，每個單分子層均包括InAs部分和InSb部分。InAs/InAsSb II類超晶格材料的制備方法：采用分子束外延方法在襯底上生長InAs層，然后在InAs層上生長InAsSb層。紅外波段探測器，其吸收區(qū)材料包括InAs/InAsSb II類超晶格材料。本申請?zhí)峁┑腎nAs/InAsSb II類超晶格材料，具有束縛態(tài)載流子效應，可以抑制俄歇效應和非輻射復合過程，達到提升超晶格材料發(fā)光性能的目的。??