一種寬譜銦鎵砷焦平面的結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202210123379.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114551618A 公開(kāi)（公告）日 2022-05-27
申請(qǐng)公布號(hào) CN114551618A 申請(qǐng)公布日 2022-05-27
分類(lèi)號(hào) H01L31/0304（2006.01）I;H01L31/0352（2006.01）I;H01L31/101（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I;G01J3/28（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 李雪;劉雅歌;馬英杰;顧溢;李淘 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所
代理機(jī)構(gòu) 上海滬慧律師事務(wù)所 代理人 -
地址 200083上海市虹口區(qū)玉田路500號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種寬譜銦鎵砷焦平面的結(jié)構(gòu)及其制備方法，寬譜銦鎵砷焦平面的基底為InP，自基底起依次有InP腐蝕犧牲層，周期性薄層低維量子點(diǎn)層，腐蝕截止層，In0.83Ga0.17As吸收層和重?fù)诫s接觸層；還公開(kāi)了一種制備所述探測(cè)器的方法，主要步驟為：1）產(chǎn)生混成結(jié)構(gòu)In0.83Ga0.17As焦平面探測(cè)器；2）機(jī)械研磨去除InP基底層；3）化學(xué)腐蝕去除犧牲層；4）干法等離子刻蝕去除部分截止層；本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于實(shí)現(xiàn)單片響應(yīng)范圍覆蓋400?2600nm的銦鎵砷焦平面探測(cè)器，可簡(jiǎn)化各類(lèi)高光譜成像系統(tǒng)的光路，降低功耗、體積、重量，提升探測(cè)敏感度。