一種共柵控的銦鎵砷陣列光電探測(cè)器結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202210123383.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114551488A 公開(kāi)（公告）日 2022-05-27
申請(qǐng)公布號(hào) CN114551488A 申請(qǐng)公布日 2022-05-27
分類號(hào) H01L27/146（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 馬英杰;王嵩陽(yáng);李雪;龔海梅 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所
代理機(jī)構(gòu) 上海滬慧律師事務(wù)所 代理人 -
地址 200083上海市虹口區(qū)玉田路500號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種共柵控的銦鎵砷陣列光電探測(cè)器結(jié)構(gòu)，在像素微臺(tái)面的側(cè)壁沉積具有強(qiáng)導(dǎo)電性能的金屬鍍層形成柵電極，利用柵電極控制側(cè)壁表面外加電場(chǎng)的方向和大小，像素柵電極并聯(lián)形成等電勢(shì)共柵結(jié)構(gòu)，降低側(cè)壁表面積累或反型的載流子濃度。本發(fā)明可顯著減小器件表面漏電流，降低探測(cè)器總暗電流和噪聲，適用于銦鎵砷單元和陣列探測(cè)器芯片的制造，提升微光夜視、光譜成像、物質(zhì)光譜檢測(cè)等短波紅外探測(cè)系統(tǒng)的靈敏度和應(yīng)用水平。