一種碳化硅多晶的制造裝置及方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210112585.0 申請日 -
公開（公告）號 CN114481325A 公開（公告）日 2022-05-13
申請公布號 CN114481325A 申請公布日 2022-05-13
分類號 C30B29/36（2006.01）I;C30B28/04（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 郭超;母鳳文 申請（專利權(quán)）人 北京青禾晶元半導(dǎo)體科技有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 -
地址 100020北京市海淀區(qū)花園北路25號小關(guān)（廠南區(qū)）4號樓1層146
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種碳化硅多晶的制造裝置及方法，其屬于半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，碳化硅多晶的制造裝置包括腔室、感應(yīng)線圈、石墨坩堝、晶桿及石墨托，感應(yīng)線圈設(shè)于所述腔室內(nèi)；石墨坩堝設(shè)于所述腔室內(nèi)，且所述石墨坩堝用于容置助溶劑，且所述石墨坩堝的底部內(nèi)壁能生長碳化硅多晶；所述晶桿的一端位于所述石墨坩堝內(nèi)，所述晶桿的另一端位于所述腔室外；石墨托固接于所述晶桿的一端，所述石墨托朝向所述石墨坩堝底壁的底面能生長碳化硅多晶。本發(fā)明提供的碳化硅多晶的制造裝置及方法能夠用于生長制造碳化硅多晶，具有較高的效率和較低的成本。