一種碳化硅晶體的制造方法及裝置
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202210100984.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN114481316A | 公開（公告）日 | 2022-05-13 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114481316A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-05-13 |
| 分類號(hào) | C30B27/02（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I | 分類 | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 郭超;母鳳文 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 北京青禾晶元半導(dǎo)體科技有限責(zé)任公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京品源專利代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 100083北京市海淀區(qū)花園北路25號(hào)小關(guān)（廠南區(qū)）4號(hào)樓1層146 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種碳化硅晶體的制造方法及裝置，其屬于晶體生長(zhǎng)技術(shù)領(lǐng)域，碳化硅晶體的制造方法包括采用溶液生長(zhǎng)法在碳化硅籽晶的硅面偏軸生長(zhǎng)碳化硅晶體，得到預(yù)制晶體，所述偏軸生長(zhǎng)是指所述碳化硅籽晶的生長(zhǎng)面與形成的所述碳化硅晶體的{0001}面具有夾角；對(duì)所述預(yù)制晶體進(jìn)行切割，并得到優(yōu)質(zhì)籽晶；采用溶液生長(zhǎng)法在所述優(yōu)質(zhì)籽晶的碳面生長(zhǎng)碳化硅晶體，得到最終碳化硅晶體。本發(fā)明提供的碳化硅晶體的制造方法及裝置制造得到的碳化硅晶體存在較少的微管，且能夠大幅減少螺型位錯(cuò)和刃型位錯(cuò)，還能夠減少基面位錯(cuò)，進(jìn)而能夠保證碳化硅器件的性能。 |
