一種模擬晶體的生長(zhǎng)方法、晶體的生長(zhǎng)方法及裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202210124257.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114411236A 公開（公告）日 2022-04-29
申請(qǐng)公布號(hào) CN114411236A 申請(qǐng)公布日 2022-04-29
分類號(hào) C30B9/08（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I;C30B35/00（2006.01）I;G06F30/28（2020.01）I;G16C20/70（2019.01）I;G16C60/00（2019.01）I;G06F111/06（2020.01）N;G06F113/08（2020.01）N;G06F119/14（2020.01）N 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 郭超;母鳳文 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京青禾晶元半導(dǎo)體科技有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 初春
地址 100083北京市海淀區(qū)花園北路25號(hào)小關(guān)（廠南區(qū)）4號(hào)樓1層146
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種模擬晶體的生長(zhǎng)方法、晶體的生長(zhǎng)方法及裝置。該模擬晶體的生長(zhǎng)方法包括：建立晶體生長(zhǎng)計(jì)算流體力學(xué)模型，其中，所述晶體生長(zhǎng)計(jì)算流體力學(xué)模型的虛擬晶體生長(zhǎng)環(huán)境模擬實(shí)際晶體生長(zhǎng)環(huán)境；虛擬晶體每生長(zhǎng)第一預(yù)設(shè)時(shí)間，根據(jù)虛擬晶體中至少一個(gè)生長(zhǎng)界面的當(dāng)前形狀，對(duì)當(dāng)前時(shí)刻之前的長(zhǎng)晶工藝參數(shù)進(jìn)行調(diào)整；虛擬晶體每生長(zhǎng)第一預(yù)設(shè)時(shí)間，將調(diào)整之后的長(zhǎng)晶工藝參數(shù)作為所述虛擬晶體繼續(xù)生長(zhǎng)的長(zhǎng)晶工藝參數(shù)。本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)了一種可以準(zhǔn)確模擬晶體生長(zhǎng)全程的情況，并且對(duì)于實(shí)際晶體生長(zhǎng)的全過程的長(zhǎng)晶工藝參數(shù)具有指導(dǎo)價(jià)值的模擬晶體的生長(zhǎng)方法。