非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲(chǔ)單元、器件及制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201010527589.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN102456746B 公開(kāi)（公告）日 2014-03-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN102456746B 申請(qǐng)公布日 2014-03-12
分類號(hào) H01L29/788(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 霍宗亮;劉明;張滿紅 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 寧夏儲(chǔ)芯科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 代理人 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所;寧夏儲(chǔ)芯科技有限公司
地址 100029 北京市朝陽(yáng)區(qū)北土城西路3號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 發(fā)明公開(kāi)了一種非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲(chǔ)單元、器件及制備方法。該存儲(chǔ)單元包括：襯底；源區(qū)和漏區(qū)，形成于襯底上部溝道的兩側(cè)，非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲(chǔ)單元周邊；柵堆棧，形成于襯底上部溝道之上，與源區(qū)和漏區(qū)相連通，其中柵堆棧包括作為存儲(chǔ)層的金屬性薄膜浮柵。本發(fā)明的存儲(chǔ)單元及器件中，金屬性薄膜浮柵代替現(xiàn)有技術(shù)中的多晶硅浮柵，從而能夠增加電荷的存儲(chǔ)能力，有利于存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)保持特性。