鈣鈦礦電池及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810236540.8 申請日 -
公開（公告）號 CN108682740B 公開（公告）日 2022-02-22
申請公布號 CN108682740B 申請公布日 2022-02-22
分類號 H01L51/42（2006.01）I;H01L51/48（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 朱桂;安揚(yáng);田清勇;范斌 申請（專利權(quán)）人 蘇州協(xié)鑫納米科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 潘艷麗
地址 215300 江蘇省蘇州市昆山市玉山鎮(zhèn)元豐路199號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種鈣鈦礦電池及其制備方法。其中，一種鈣鈦礦電池，包括：透明導(dǎo)電基底、空穴阻擋層，形成于所述透明導(dǎo)電基底上、氧化錫層、鈍化層、鈣鈦礦層、空穴傳輸層、以及形成于所述空穴傳輸層上的金屬電極。上述鈣鈦礦電池結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性好、光電轉(zhuǎn)化效率高?？昭ㄗ钃鯇印⒀趸a層、鈍化層三層之間的位置關(guān)系設(shè)置合理，可以優(yōu)化能帶匹配。具體而言，氧化錫層較空穴阻擋層的導(dǎo)帶低，而將氧化錫層緊挨鈣鈦礦層設(shè)置，這樣氧化錫層可以與鈣鈦礦層之間形成更大的導(dǎo)帶能極差，進(jìn)而可以提高鈣鈦礦電池的電子遷移率，進(jìn)一步提高鈣鈦礦電池的光電轉(zhuǎn)化效率。再者，上述鈣鈦礦電池的磁滯現(xiàn)象減弱。