鈣鈦礦光敏層及其制備方法、鈣鈦礦電池
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN201810331402.8 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN108550700B | 公開(公告)日 | 2022-02-22 |
| 申請公布號 | CN108550700B | 申請公布日 | 2022-02-22 |
| 分類號 | H01L51/42(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 馬英壯;蔡龍華;劉支賽;陳偉中;方主亮;葛文奇;田清勇;范斌 | 申請(專利權(quán))人 | 蘇州協(xié)鑫納米科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人 | 潘艷麗 |
| 地址 | 215300 江蘇省蘇州市昆山市玉山鎮(zhèn)元豐路199號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明涉及光伏領(lǐng)域,具體涉及一種鈣鈦礦光敏層的制備方法。其包括如下步驟:提供涂覆液;所述涂覆液為含有胺鹽化合物的鈣鈦礦溶液;所述胺鹽化合物為弱酸與甲胺結(jié)合的化合物;將所述涂覆液涂覆在基底上,形成液膜;對帶有所述液膜的基底進(jìn)行抽氣結(jié)晶;對抽氣結(jié)晶后的基底進(jìn)行胺鈍化處理;對胺鈍化處理后的基底進(jìn)行退火。上述鈣鈦礦光敏層的制備方法,在鈣鈦礦溶液中添加胺鹽化合物,然后經(jīng)抽氣結(jié)晶、胺鈍化處理、以及退火過程,形成的鈣鈦礦光敏層,鈣鈦礦晶體的結(jié)晶性較好,薄膜晶粒致密,缺陷少;也即形成的鈣鈦礦光敏層的質(zhì)量較高,進(jìn)而使鈣鈦礦電池的光電轉(zhuǎn)換效率以及穩(wěn)定性提高。本發(fā)明還公開了一種鈣鈦礦光敏層以及鈣鈦礦電池。 |





