一種晶圓用高溫藥液清洗設(shè)備及其清洗工藝
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202011448759.8 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN112614794A | 公開（公告）日 | 2021-04-06 |
| 申請公布號 | CN112614794A | 申請公布日 | 2021-04-06 |
| 分類號 | H01L21/67(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 余濤;樸靈緒;郭巍 | 申請（專利權(quán)）人 | 若名芯半導體科技（蘇州）有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 蘇州銘浩知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 朱斌兵 |
| 地址 | 215000江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號蘇州納米城西北區(qū)4棟101室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種晶圓用高溫藥液清洗設(shè)備，包括清洗室，清洗室內(nèi)具有腔體，承載臺可轉(zhuǎn)動的設(shè)于腔體內(nèi)；多個卡盤銷設(shè)于承載臺上，用于夾持晶圓；定位盤設(shè)置在承載臺，且定位盤位于晶圓的下方；下加熱板可轉(zhuǎn)動設(shè)于定位盤內(nèi)，且下加熱板可升降的設(shè)于定位盤和晶圓之間，下加熱板上開有進液口和排液口；第一噴嘴和第二噴嘴可上下移動的設(shè)于下加熱板的下方，當下加熱板轉(zhuǎn)動時，進液口與第一噴嘴或第二噴嘴相通；多個第三噴嘴設(shè)于晶圓的上方，本發(fā)明還公開了一種利用晶圓用高溫藥液清洗設(shè)備對晶圓進行清洗的方法，可以滿足在常溫狀態(tài)下對晶圓清洗的臭氧和氟酸等藥液，也可以滿足磷酸和硫酸等需要在高溫狀態(tài)狀態(tài)下才能更好的將晶圓上的SiN等顆粒去除的需求。?? |
