實現低溫鍍膜的熱蒸發(fā)設備及低熔點的薄膜材料

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010236693.X 申請日 -
公開（公告）號 CN111424238A 公開（公告）日 2020-07-17
申請公布號 CN111424238A 申請公布日 2020-07-17
分類號 C23C14/24;C23C14/14;C23C14/50;C23C14/56;C23C14/54 分類 -
發(fā)明人 張妮偉;張凡;王庶民;李嘉;張焱超;蘆鵬飛 申請（專利權）人 超晶科技（北京）有限公司
代理機構 北京萬思博知識產權代理有限公司 代理人 超晶科技（北京）有限公司
地址 100083 北京市海淀區(qū)王莊路1號B座八(七)層C1
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種實現低溫鍍膜的熱蒸發(fā)設備及低熔點的薄膜材料，涉及半導體領域。本申請采用熱蒸發(fā)方式鍍膜，提供低溫生長環(huán)境的設備，包括生長腔室、載片腔室和源爐腔室，且每個腔室相互獨立保證每次鍍膜時生長腔室內真空環(huán)境的穩(wěn)定性。載片腔室中載片裝置外接馬達，實現載片裝置上下移動和旋轉，同時在待鍍基片裝置周圍安置制冷裝置，通過氣體制冷或冷卻液制冷方式對鍍膜襯底維持一個穩(wěn)定且較低的溫度。故本申請針對具有較低熔點的鍍膜材料，有效降低熱蒸發(fā)鍍膜過程中因襯底溫度原因導致的側向生長，間接提高薄膜致密性和均勻性，具有整個生長鍍膜工藝簡單和制備成本低廉的優(yōu)點。