一種銦鎵砷紅外探測器材料制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710508453.9 申請日 -
公開（公告）號 CN107910402B 公開（公告）日 2020-07-17
申請公布號 CN107910402B 申請公布日 2020-07-17
分類號 H01L31/109;H01L31/18 分類 -
發(fā)明人 王庶民;潘文武 申請（專利權(quán)）人 超晶科技（北京）有限公司
代理機構(gòu) 北京方安思達知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 超晶科技（北京）有限公司
地址 100083 北京市海淀區(qū)學院路30號方興大廈906室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種銦鎵砷紅外探測器件材料的制備方法，包括：1)在磷化銦供體襯底上外延生長緩沖層；2)在緩沖層上形成銦鋁砷犧牲層，在犧牲層上形成InP外延薄層；3)在外延薄層上形成InAlAs犧牲層與InP外延薄層；4)重復步驟3)至得到N個InAlAs犧牲層與InP外延薄層；5)從外延薄層側(cè)進行離子注入，在最上一層的犧牲層內(nèi)形成缺陷層，后將最上一層的外延薄層與硅受體襯底鍵合，并進行退火處理，使頂層薄膜剝離，對剝離部分表面的InAlAs犧牲層進行表面處理；重復本步驟得到N個Si基InP柔性襯底和含犧牲層的InP供體襯底；6)在柔性襯底上進行InGaAs探測器結(jié)構(gòu)外延生長。本發(fā)明為襯底可重復利用、柔性襯底可大規(guī)模集成、省去減薄工藝的銦鎵砷紅外探測器件制備方法。