氮化鎵發(fā)光二極管的制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111543401.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN114141915A | 公開（公告）日 | 2022-03-04 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114141915A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-03-04 |
| 分類號(hào) | H01L33/00（2010.01）I;H01L33/22（2010.01）I;H01L33/06（2010.01）I;H01L33/02（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 徐平;許孔祥;馮磊;黃勝藍(lán) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 湘能華磊光電股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 長(zhǎng)沙七源專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 張勇;劉伊?xí)D |
| 地址 | 423038湖南省郴州市白露塘有色金屬產(chǎn)業(yè)園 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種氮化鎵發(fā)光二極管的制備方法，涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，制備方法包括：提供藍(lán)寶石襯底；對(duì)藍(lán)寶石襯底進(jìn)行常規(guī)清洗處理后在其上面沉積SiO2薄膜；在SiO2薄膜上表面制作圓形圖案的光刻膠膜層；去除多余的SiO2膜層，在藍(lán)寶石表面形成光刻膠和SiO2薄膜雙掩膜結(jié)構(gòu)的多個(gè)凹型坑；將表面形成有多個(gè)凹型坑的藍(lán)寶石襯底進(jìn)行干法刻蝕，并去除SiO2膜層，在藍(lán)寶石襯底的表面形成多個(gè)V形孔；蒸鍍Al單質(zhì)薄膜，使Al膜完全填充V形孔；進(jìn)行退火處理，使鋁膜球聚形成鋁球；生長(zhǎng)氮化鎵外延層，獲得完全結(jié)構(gòu)的外延片。上述制備方法能夠提高GaN薄膜的晶體質(zhì)量，降低位錯(cuò)密度，有效提高LED芯片的發(fā)光效率及發(fā)光強(qiáng)度。 |
