一種氮化鎵基LED外延片及其生長(zhǎng)方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201010128437.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN102194939B 公開（公告）日 2016-11-30
申請(qǐng)公布號(hào) CN102194939B 申請(qǐng)公布日 2016-11-30
分類號(hào) H01L33/06(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王東盛;劉俊;關(guān)秋云;周德保;肖志國(guó) 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 大連美明外延片科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 116025 遼寧省大連市高新園區(qū)高能街1號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種氮化鎵基LED外延片及其生長(zhǎng)方法，其結(jié)構(gòu)從下至上依次為襯底、氮化鎵基緩沖層、非摻雜氮化鎵層、n型氮化鎵層、多量子阱層、p型鋁鎵氮層、p型氮化鎵層和接觸層，其特征在于所述接觸層為n型InxGa1?xN層，或者為p型InxGa1?xN層，其中x為摩爾系數(shù)，0＜x＜1。通過(guò)在接觸層中加入In組分和濃度漸變的摻雜層來(lái)獲得調(diào)制摻雜接觸層外延結(jié)構(gòu)，緩解靜電對(duì)氮化鎵基LED的沖擊，提高LED對(duì)靜電的耐受能力。按照標(biāo)準(zhǔn)芯片工藝制作成300×300μm2的芯片，其反向4000V的ESD良品率為90％以上。