一種GaN基LED透明電極圖形化的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210310976.X 申請日 -
公開（公告）號 CN103633196A 公開（公告）日 2014-03-12
申請公布號 CN103633196A 申請公布日 2014-03-12
分類號 H01L33/00(2010.01)I;H01L33/38(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 肖志國;李倩影;武勝利;孫英博;薛念亮;李浩然 申請（專利權(quán)）人 大連美明外延片科技有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 116025 遼寧省大連市高新區(qū)高能街1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 發(fā)明提供了一種GaN基LED透明電極圖形化的制備方法。在GaN基外延層上蒸鍍一層ITO、ZnO或者單層石墨烯透明電極，在透明電極上沉積一層薄SiO2層，利用SiO2在不同溫度下退火形成的結(jié)晶圖形做掩膜，用干法刻蝕刻蝕掉裸露在外的透明電極，再用HF溶液去除SiO2結(jié)晶圖形得到具有圖形化的透明電極。此發(fā)明在制備時不僅通過透明電極圖形化提高了光提取效率，還降低傳統(tǒng)的光刻掩膜工藝成本和耗時。