一種氮化鎵基發(fā)光二極管外延片及其生長方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201010138875.X 申請日 -
公開（公告）號 CN102208505B 公開（公告）日 2016-11-30
申請公布號 CN102208505B 申請公布日 2016-11-30
分類號 H01L33/14(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉俊;楊天鵬;王東盛;關(guān)秋云;展望;周德保;肖志國 申請（專利權(quán)）人 大連美明外延片科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 116025 遼寧省大連市高新園區(qū)高能街1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明介紹了一種氮化鎵基外延片的生長方法，通過在多量子阱層和p型鋁鎵氮層之間，用三乙基鎵作為鎵的金屬有機(jī)源，二茂鎂作為受主雜質(zhì)生長p型空穴注入層，這種生長結(jié)構(gòu)不僅降低了p型層的體電阻，而且提高了注入空穴的有效濃度，增加了空穴與電子在有源區(qū)的有效復(fù)合，提高了發(fā)光二極管的發(fā)光效率。按標(biāo)準(zhǔn)芯片工藝制作的300×300μm2的以ITO為透明電極的芯片，其正向電壓可降0.15V，光輸出效率提高17％以上。