一種發(fā)光二極管的研磨下蠟方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201110328269.9 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN103078015A | 公開（公告）日 | 2013-05-01 |
| 申請公布號 | CN103078015A | 申請公布日 | 2013-05-01 |
| 分類號 | H01L33/00(2010.01)I;H01L21/304(2006.01)I;B24B37/00(2012.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 肖志國;林曉文;卞廣彪;王力明;高本良;武勝利;李彤 | 申請（專利權(quán)）人 | 大連美明外延片科技有限公司 |
| 代理機構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 116025 遼寧省大連市高新區(qū)高能街1號路明大廈B607 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供了一種發(fā)光二極管的研磨下蠟方法，采用增加緩沖層、在液體中下蠟的方式，有效降低裂片率、提高良率，降低成本。減薄前，將載片盤表面用高溫膜或鏡頭紙保護，起到外延片與載片盤間的緩沖作用；將減薄后的外延片連同載片盤放入水溶性去蠟液中進行下蠟。通過該方法進行減薄及下蠟，能夠減少減薄過程及下蠟過程中的裂片率，增加發(fā)光二極管的良率；可以提高下蠟過程的速度，有效減少工作時間、提高了生產(chǎn)效率；有效降低了成本，并提高外延片厚度的均勻性。 |
