一種GaN基LED外延片的生長(zhǎng)方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201210351407.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN105118900A 公開(kāi)（公告）日 2015-12-02
申請(qǐng)公布號(hào) CN105118900A 申請(qǐng)公布日 2015-12-02
分類(lèi)號(hào) H01L33/00(2010.01)I;C30B25/02(2006.01)I;C30B29/38(2006.01)I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 肖志國(guó);關(guān)秋云;楊天鵬;展望;張博;武勝利 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 大連美明外延片科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 116025 遼寧省大連市高新區(qū)高能街1號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種GaN基LED外延片的生長(zhǎng)方法，生長(zhǎng)InGaN/GaN多量子阱時(shí)，在傳統(tǒng)的生長(zhǎng)條件下，適時(shí)適量的通入氫氣，可以有效的抑制In的團(tuán)簇效應(yīng)，從而改善InGaN/GaN界面的平整度，提高出光效率，并且提高了器件的反向電壓，降低了正向電壓。本發(fā)明方法簡(jiǎn)單易行，生長(zhǎng)工藝無(wú)特殊要求，按照標(biāo)準(zhǔn)芯片工藝制作成300微米×300微米的芯片，亮度在原有基礎(chǔ)上提升了10～20%，反向電壓提高了5V以上，正向電壓降低了0.05V以上。