一種四元AlGaInP發(fā)光二極管芯片及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210462411.3 申請日 -
公開（公告）號 CN106129216A 公開（公告）日 2016-11-16
申請公布號 CN106129216A 申請公布日 2016-11-16
分類號 H01L33/40(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 肖志國;薛蕾;劉麗;武勝利 申請（專利權）人 大連美明外延片科技有限公司
代理機構 - 代理人 -
地址 116600 遼寧省大連市開發(fā)區(qū)黃海大道1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種四元AlGaInP發(fā)光二極管芯片及其制造方法，其特征在于整個芯片制程完全或絕大部分無金化，此方法適用于多種波長的四元發(fā)光二極管，屬于光電子制造技術領域。采用此制程方法的四元發(fā)光二極管芯片p面采用高透過率導電膜ITO代替Au/AuBe/Au與表層帶有C元素重摻雜層的GaP窗口層形成良好的歐姆接觸，同時嚴格控制ITO膜的厚度，使之實現良好的電流擴展的同時，將界面反射率降到最低來形成增透作用，極大提高了外量子效率，使芯片裸芯亮度提高10?20%。p面焊線電極采用以金屬Al為主的純Al或表面包金電極，同時芯片N面采用含金屬Ge的非金材料代替Au/AuGe/Au。此四元二極管制作方法至少減少芯片制程黃金消耗90%，可有效地大幅降低成本。