一種氮化鎵基外延片及生長方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210310935.0 申請日 -
公開（公告）號 CN106098886A 公開（公告）日 2016-11-09
申請公布號 CN106098886A 申請公布日 2016-11-09
分類號 H01L33/10(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;C30B25/16(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 肖志國;展望;楊天鵬;關秋云;張博;武勝利 申請（專利權）人 大連美明外延片科技有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 116025 遼寧省大連市高新區(qū)高能街1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種氮化鎵基外延片及生長方法，在n型GaN材料中形成光的微反射層，該層處在有源層和襯底之間，能夠?qū)⑸湎蛞r底的光反射回表面或側(cè)面，減少襯底對光的吸收，提高了LED的外量子效率，進而提高了LED外延片的出光效率。本發(fā)明的外延片按常規(guī)芯片工藝制成300×300μm2的以ITO為透明電極的芯片，可得到10%?20%的亮度提升。