一種高亮度AlGaInP發(fā)光二極管及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201110363791.0 申請日 -
公開（公告）號 CN103117349A 公開（公告）日 2013-05-22
申請公布號 CN103117349A 申請公布日 2013-05-22
分類號 H01L33/30(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 肖志國;高本良;武勝利 申請（專利權）人 大連美明外延片科技有限公司
代理機構 - 代理人 -
地址 116025 遼寧省大連市高新區(qū)高能街1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種高亮度AlGaInP發(fā)光二極管及其制造方法。采用復合式BDR結構解決了傳統(tǒng)DBR反射角小的問題。復合式DBR結構由上、下兩層DBR組成，其中下DBR層經(jīng)過部分氧化，提高了與上DBR層的折射率差，提高了光的反射效率。并且同時采用周期紋理和表面粗化，進一步破壞表面的全反射。本發(fā)明提高了芯片的出光效率和出光角度，實現(xiàn)了芯片亮度的提升。同時由于破壞了芯片表面的全反射，減少光在芯片內(nèi)部轉(zhuǎn)化成熱的機會，降低芯片溫度，提高器件的性能和可靠性，并且工藝簡單、成本低。