一種柔性TFT器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010594145.4 申請日 -
公開（公告）號 CN111900252A 公開（公告）日 2020-11-06
申請公布號 CN111900252A 申請公布日 2020-11-06
分類號 H01L51/05(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 龔巖芬;龔政;胡詩犇;陳志濤;郭嬋;王建太;龐超;潘章旭;劉久澄 申請（專利權）人 廣東省科學院
代理機構 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 代理人 廣東省半導體產(chǎn)業(yè)技術研究院
地址 510000廣東省廣州市天河區(qū)長興路363號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種柔性TFT器件及其制備方法。本發(fā)明的柔性TFT器件依次包括柔性襯底、PI黏附層、柵電極、介電層、PαMS修飾層、半導體層、界面修飾層和源漏電極層，所述柵電極含有PEDOT:PSS，所述介電層含有PDMS?HfO2雜化材料，所述半導體層含有鑭銦鋅氧化物?聚四乙烯基苯酚雜化材料。本發(fā)明采用上述有機與無機雜化體系材料和TFT器件結構，減少器件的因彎折而發(fā)生的膜層裂痕、位移等問題，從而提高柔性TFT器件的耐彎曲特性、穩(wěn)定性和壽命。??