一種過(guò)溫保護(hù)電路

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110842521.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113377148B 公開（公告）日 2022-02-15
申請(qǐng)公布號(hào) CN113377148B 申請(qǐng)公布日 2022-02-15
分類號(hào) G05F1/567（2006.01）I 分類 控制；調(diào)節(jié);
發(fā)明人 孫金星 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳市微源半導(dǎo)體股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市中科創(chuàng)為專利代理有限公司 代理人 彭西洋;譚雪婷
地址 518000廣東省深圳市福田區(qū)沙頭街道車公廟泰然八路深業(yè)泰然大廈15層15C05
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種過(guò)溫保護(hù)電路，包括電阻R23、電阻R21、三極管Q21、具有回滯功能的比較器、電壓反饋環(huán)路模塊，以及與電壓反饋環(huán)路模塊連接的第一電流鏡；所述電阻R23的一端與電壓反饋環(huán)路模塊連接，電阻R23的另一端接地；所述電阻R21的一端和三極管Q21的發(fā)射極均與第一電流鏡連接，電阻R21的另一端和三極管Q21的集電極均與電阻R23連接后接地。本發(fā)明將回滯功能在比較器內(nèi)部進(jìn)行實(shí)現(xiàn)，可減小芯片面積、節(jié)約成本，其具體是通過(guò)比較器的輸出信號(hào)控制內(nèi)部電路的一個(gè)開關(guān)，從而改變負(fù)載MOS管的等效尺寸及控制負(fù)載MOS管的等效寬長(zhǎng)比，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)回滯功能，簡(jiǎn)單方便。