一種空氣中安全快速制備二維鈣鈦礦單晶的方法
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN202011633295.8 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN112853486A | 公開(公告)日 | 2021-05-28 |
| 申請公布號 | CN112853486A | 申請公布日 | 2021-05-28 |
| 分類號 | C30B33/00(2006.01)I;C30B7/14(2006.01)I;C30B29/12(2006.01)I | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 賀程宇;李靜;楊一鳴;包亞男;李華鋒;李建良;張琦;胡錫兵 | 申請(專利權(quán))人 | 江蘇新廣聯(lián)科技股份有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 大連理工大學專利中心 | 代理人 | 李曉亮 |
| 地址 | 116024遼寧省大連市甘井子區(qū)凌工路2號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 一種空氣中安全快速制備二維鈣鈦礦單晶的方法,屬于新型半導(dǎo)體光電材料領(lǐng)域。通過反溶劑逆溫快速結(jié)晶的方法制備高質(zhì)量二維鈣鈦礦單晶(BA)2PbI4和(PEA)2PbI4,制備出的單晶為片狀或條狀的橙色晶體,橫向尺寸為幾百微米到幾毫米,質(zhì)量良好,可通過控制加熱溫度,可調(diào)制二維鈣鈦礦單晶生長速度和密度,并且可采用膠帶剝離法將合成的單晶撕成原子級厚度的薄片。相比于之前的生長方法,此方法可在短時間內(nèi)生長出大量的單晶,生長速度大大增加;并且生長過程不涉及強酸、低溫,操作安全、便捷,對二維鈣鈦礦單晶的大批量生長具有重要意義。?? |





