一種正裝GaN基LED微顯示器件及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811409855.4 申請日 -
公開（公告）號 CN109560100B 公開（公告）日 2021-04-20
申請公布號 CN109560100B 申請公布日 2021-04-20
分類號 H01L21/762(2006.01)I;H01L33/48(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01L27/15(2006.01)I;H01L21/76(2006.01)I;H01L33/64(2010.01)I;H01L33/38(2010.01)I;H01L33/46(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 閆曉密;張秀敏;華斌;王書宇;田媛 申請（專利權(quán)）人 江蘇新廣聯(lián)科技股份有限公司
代理機構(gòu) 無錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 曹祖良
地址 214192江蘇省無錫市錫山經(jīng)濟開發(fā)區(qū)團結(jié)北路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于LED微顯示屏技術(shù)領(lǐng)域，提供一種正裝GaN基LED微顯示器件及其制作方法，包括藍(lán)寶石襯底，在藍(lán)寶石襯底正面設(shè)有若干個呈陣列分布的LED微顯示單元，LED微顯示單元間通過絕緣SU膠隔開；LED微顯示單元包括位于藍(lán)寶石襯底上的緩沖層、N?GaN層、多量子阱、P?GaN層和透明導(dǎo)電層，在N?GaN層上設(shè)有N電極，在N電極和絕緣SU膠上設(shè)有SiO絕緣層，SiO絕緣層上P電極，P電極穿過SiO絕緣層與透明導(dǎo)電層接觸；在藍(lán)寶石襯底背面設(shè)有布拉格反射鏡DBR；本發(fā)明的微顯示器件在LED單元隔離槽內(nèi)填充較厚的絕緣SU8膠，避免了因電極應(yīng)力因素導(dǎo)致的斷路，保證了LED微顯示器件的穩(wěn)定性；同時背面采用布拉格反射鏡DBR，使得器件的出光率更好。??