具有溫度監(jiān)控的大功率倒裝LED芯片
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201922413456.1 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN211480077U | 公開（公告）日 | 2020-09-11 |
| 申請公布號 | CN211480077U | 申請公布日 | 2020-09-11 |
| 分類號 | H01L33/36(2010.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 張琦;強愈高 | 申請（專利權(quán)）人 | 江蘇新廣聯(lián)科技股份有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 無錫市大為專利商標事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 江蘇新廣聯(lián)科技股份有限公司 |
| 地址 | 214192江蘇省無錫市錫山經(jīng)濟開發(fā)區(qū)團結(jié)北路18號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實用新型提供一種具有溫度監(jiān)控的大功率倒裝LED芯片，包括襯底層；在所述襯底層上依次生長有N?GaN層、量子阱層、P?GaN層；P?GaN層上設(shè)有反射層；量子阱層、P?GaN層、反射層被第一絕緣層包覆；第一絕緣層上設(shè)有互聯(lián)電極層；互聯(lián)電極層穿透第一絕緣層，分別連接反射層和N?GaN層；互聯(lián)電極層被第二絕緣層包覆；第二絕緣層上設(shè)有引出電極層；所述引出電極層包括穿透第二絕緣層與互聯(lián)電極層分別連接的兩個焊盤電極，以及穿透第二絕緣層、互聯(lián)電極層、第一絕緣層、反射層、P?GaN層以及量子阱層與N?GaN層分別連接的兩個熱阻監(jiān)控電極；所述兩個熱阻監(jiān)控電極與N?GaN層連接處形成探溫節(jié)。本實用新型實現(xiàn)LED芯片結(jié)溫的實時監(jiān)控。?? |
