可改善LeTID現(xiàn)象的P型單晶PERC電池及其制作方法
基本信息

| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910972959.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)(公告)號(hào) | CN111029436B | 公開(kāi)(公告)日 | 2021-09-21 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111029436B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-09-21 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/054(2014.01)I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 康海濤;郭萬(wàn)武;吳中亞 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 中建材浚鑫科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 南京蘇科專利代理有限責(zé)任公司 | 代理人 | 張霞 |
| 地址 | 214400江蘇省無(wú)錫市江陰市申港鎮(zhèn)鎮(zhèn)澄路1011號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明提供了一種可改善LeTID現(xiàn)象的P型單晶PERC電池的制作方法,包括如下步驟:步驟S1,表面織構(gòu);步驟S2,高溫磷擴(kuò)散;步驟S3,周邊刻蝕及背面拋光;步驟S4,正、背面二氧化硅層制備;步驟S5,背面氧化鋁層制備;步驟S6,背面碳氮化硅層制備;步驟S7,背面氮氧化硅疊層制備;步驟S8,正面氮氧化硅層制備;步驟S9,背面激光開(kāi)槽;步驟S10,正、背面電極制備。本發(fā)明通過(guò)改變電池膜層結(jié)構(gòu)、制作原材料及相應(yīng)的工藝優(yōu)化方法來(lái)減少氫源來(lái)源,降低太陽(yáng)能電池片中的多余氫原子,達(dá)到改善太陽(yáng)能電池LeTID現(xiàn)象的技術(shù)效果。 |





