連續(xù)拉晶雙層坩堝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022051831.5 申請日 -
公開（公告）號 CN213203273U 公開（公告）日 2021-05-14
申請公布號 CN213203273U 申請公布日 2021-05-14
分類號 C30B15/12;C30B29/06 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 陳五奎;陳昊;陳嘉豪;陳輝 申請（專利權）人 樂山新天源太陽能科技有限公司
代理機構 成都點睛專利代理事務所（普通合伙） 代理人 李玉興
地址 614000 四川省樂山市樂山高新區(qū)建業(yè)大道888號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種便于硅料連續(xù)添加，能夠有效避免硅料添加影響單晶拉伸品質的連續(xù)拉晶雙層坩堝。該連續(xù)拉晶雙層坩堝，包括外層坩堝和內層坩堝筒；所述內層坩堝筒位于外層坩堝內；所述內層坩堝筒的側壁外側與外層坩堝的內壁之間具有進料夾層；所述外層坩堝的下端具有環(huán)形錐面；所述內層坩堝筒的下端與環(huán)形錐面的內壁連接；所述內層坩堝筒的下端與環(huán)形錐面之間設置有通孔；所述內層坩堝筒的側壁內設置有隔熱層；所述外層坩堝內壁的中間位置以及內層坩堝筒的外壁上均設置有安裝凸臺；所述安裝凸臺上安裝有漏板。采用該連續(xù)拉晶雙層坩堝能夠實現(xiàn)單晶硅的連續(xù)拉伸；能夠有效的提高生產效率，保證產品質量。