連續(xù)直拉單晶棒工藝
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010983585.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112048758A | 公開（公告）日 | 2020-12-08 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112048758A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-12-08 |
| 分類號(hào) | C30B15/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 分類 | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 陳五奎;陳昊;陳嘉豪;陳輝 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 樂山新天源太陽(yáng)能科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 成都點(diǎn)睛專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 樂山新天源太陽(yáng)能科技有限公司 |
| 地址 | 614000四川省樂山市樂山高新區(qū)建業(yè)大道888號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種能夠?qū)崿F(xiàn)單晶硅棒連續(xù)成晶，保證硅棒品質(zhì)的連續(xù)直拉單晶棒工藝。該連續(xù)直拉單晶棒工藝采用連續(xù)直拉單晶爐，還包括以下步驟：S1、向雙層坩堝的內(nèi)層坩堝筒內(nèi)添加硅料；S2、通過惰性氣體進(jìn)口通入惰性氣體，然后由惰性氣體吸氣口吸出惰性氣體；S3、通過石墨加熱托盤、加熱電阻實(shí)現(xiàn)對(duì)雙層坩堝的加熱；S4、通過拉伸裝置對(duì)單晶硅棒進(jìn)行拉伸成形；同時(shí)通過所述硅料加料裝置向外層坩堝內(nèi)添加顆粒硅料；S5、保證爐內(nèi)的壓力，保證爐體內(nèi)的溫度；S6、通過拉伸裝置實(shí)現(xiàn)單晶硅的連續(xù)直拉。采用該連續(xù)直拉單晶棒工藝能夠提高拉晶速度，增加硅棒單位時(shí)間產(chǎn)出，有效的降低產(chǎn)能，提高成晶率。?? |
