大直徑高效N型單晶硅的制備工藝
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910637767.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN110257901B | 公開（公告）日 | 2021-05-28 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN110257901B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-05-28 |
| 分類號(hào) | C30B15/04(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I;C30B15/20(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 陳嘉豪;徐文州;陳輝;陳磊 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 樂山新天源太陽能科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 成都點(diǎn)睛專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 李玉興 |
| 地址 | 614000四川省樂山市樂山高新區(qū)建業(yè)大道888號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了能夠降低對(duì)設(shè)備要求，同時(shí)提高生產(chǎn)效率的大直徑高效N型單晶硅的制備工藝。該大直徑高效N型單晶硅的制備工藝，包括步驟：S1、配料；S2、裝料和熔化；S3、引晶；S4、縮頸；通過晶棒提升旋轉(zhuǎn)裝置提拉籽晶，形成晶體；S5、放肩；將晶體控制到所需的目標(biāo)直徑；S6、等徑生長；S7、通過二次加料裝置向坩堝內(nèi)添加熔融硅料；S8、收尾：晶體直徑逐漸縮小，離開熔體；S9、降溫：降低溫度，逐漸冷卻溫度。采用該大直徑高效N型單晶硅的制備工藝，能夠小型化生產(chǎn)設(shè)備，能夠降低生產(chǎn)設(shè)備的成本，降低能耗，提高生產(chǎn)效率，便于生產(chǎn)。?? |
