一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202220122206.1 申請日 -
公開（公告）號 CN216671601U 公開（公告）日 2022-06-03
申請公布號 CN216671601U 申請公布日 2022-06-03
分類號 H01L23/12（2006.01）I;H01L23/16（2006.01）I;H01L23/498（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 尹鵬躍;陳曉強(qiáng);陳桂芳;田佳;劉艷菲 申請（專利權(quán)）人 上海燧原科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 -
地址 201306上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)業(yè)盛路188號A-522室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開了一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括：封裝基板；多個(gè)倒裝凸點(diǎn)，設(shè)置于封裝基板上，與封裝基板中的第一金屬層電連接；倒裝凸點(diǎn)之間的間隙設(shè)置有填充層；重布線層，設(shè)置于倒裝凸點(diǎn)遠(yuǎn)離封裝基板的一側(cè)；重布線層包括多層第二金屬層；相鄰第二金屬層之間，以及重布線層的兩側(cè)均設(shè)置有絕緣層；至少一個(gè)芯片，設(shè)置于重布線層遠(yuǎn)離封裝基板的一側(cè)；重布線層用于實(shí)現(xiàn)芯片和倒裝凸點(diǎn)之間的電連接。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，在各倒裝凸點(diǎn)之間設(shè)置填充層，填充層的存在能夠減少半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)膜層間的錯(cuò)位現(xiàn)象，提高半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)各膜層的連接可靠性，從而提升半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)生產(chǎn)效率及良率。