一種藍(lán)光/紅光雙色LED芯片封裝結(jié)構(gòu)及制備方法
基本信息

| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010075461.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)(公告)號(hào) | CN111261764B | 公開(kāi)(公告)日 | 2021-10-15 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111261764B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-10-15 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L33/50(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;A01G7/04(2006.01)I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 劉新科;羅江流;賁建偉;賀威 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 | 山西穿越光電科技有限責(zé)任公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京三聚陽(yáng)光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 張琳琳 |
| 地址 | 044599 山西省運(yùn)城市永濟(jì)市城東街道循環(huán)經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)園區(qū) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種藍(lán)光/紅光雙色LED芯片封裝結(jié)構(gòu)及制備方法,其中封裝結(jié)構(gòu)包括:襯底;LED外延片,生成于所述襯底的表面;MoS2發(fā)光涂層,沉積于所述LED外延片表面或LED發(fā)光窗口上,所述MoS2發(fā)光涂層用于將藍(lán)光轉(zhuǎn)換成紅光。本發(fā)明在LED外延片表面或LED發(fā)光窗口上沉積MoS2發(fā)光涂層,利用MoS2發(fā)光涂層將部分LED外延片發(fā)出的藍(lán)光轉(zhuǎn)換為紅光,由于MoS2材料特定的禁帶寬度以及良好的透光性,極大的降低了光子在吸收轉(zhuǎn)換過(guò)程中的損失,使器件發(fā)光全部處于植物高效吸收范圍內(nèi),節(jié)省能源。 |





