用于非平面酞菁薄膜弱外延生長的固熔體誘導(dǎo)層

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201010605569.2 申請日 -
公開（公告）號 CN102560632A 公開（公告）日 2012-07-11
申請公布號 CN102560632A 申請公布日 2012-07-11
分類號 C30B25/02(2006.01)I;C30B29/54(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 閆東航;耿延候;田洪坤;黃麗珍;申劍鋒;郭曉東 申請（專利權(quán)）人 上海中科聯(lián)和顯示技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) 隆天國際知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 吳世華;馮志云
地址 201203 上海市浦東新區(qū)碧波路572弄115號22幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及用于非平面酞菁弱外延生長薄膜的固熔體誘導(dǎo)層以及在該固熔體誘導(dǎo)層上弱外延生長形成的非平面酞菁薄膜及包含該非平面酞菁薄膜的有機薄膜晶體管。固熔體誘導(dǎo)層是由通式I和II所示種的任意兩種誘導(dǎo)層分子：(通式I)(通式II)在一定的襯底溫度下采用共蒸鍍的分子氣相沉積方法制成。該固熔體誘導(dǎo)層具有均一結(jié)構(gòu)，其晶胞參數(shù)和能級通過調(diào)節(jié)組分比例進行調(diào)控，該固熔體誘導(dǎo)層可弱外延生長高質(zhì)量的非平面酞菁薄膜以及形成基于此薄膜的高性能晶體管器件。