用于非平面酞菁薄膜弱外延生長(zhǎng)的固熔體誘導(dǎo)層
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201010605569.2 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN102560632B | 公開(kāi)（公告）日 | 2016-06-29 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN102560632B | 申請(qǐng)公布日 | 2016-06-29 |
| 分類號(hào) | C07D495/00(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I;C30B29/54(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I | 分類 | 有機(jī)化學(xué)〔2〕; |
| 發(fā)明人 | 閆東航;耿延候;田洪坤;黃麗珍;申劍鋒;郭曉東 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 上海中科聯(lián)和顯示技術(shù)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 吳世華;馮志云 |
| 地址 | 130103 吉林省長(zhǎng)春市高新區(qū)順達(dá)路333號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及用于非平面酞菁弱外延生長(zhǎng)薄膜的固熔體誘導(dǎo)層以及在該固熔體誘導(dǎo)層上弱外延生長(zhǎng)形成的非平面酞菁薄膜及包含該非平面酞菁薄膜的有機(jī)薄膜晶體管。固熔體誘導(dǎo)層是由通式I和II所示種的任意兩種誘導(dǎo)層分子： |
