一種高效硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110175285.2 申請日 -
公開（公告）號 CN112802910A 公開（公告）日 2021-05-14
申請公布號 CN112802910A 申請公布日 2021-05-14
分類號 H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0747;H01L31/18;H01L31/20 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王錦樂;肖俊峰 申請（專利權(quán)）人 通威太陽能（眉山）有限公司
代理機構(gòu) 安徽知問律師事務所 代理人 平靜;王澤洋
地址 610000 四川省成都市雙流區(qū)西南航空港經(jīng)濟開發(fā)區(qū)工業(yè)集中發(fā)展區(qū)六期內(nèi)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種高效硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池及其制備方法，屬于太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的電池N型晶體硅片的正面依次設置薄層SiO2層、氫化非晶碳氧化硅薄膜層、C摻雜SiO2層、非晶硅摻雜N型層、TCO導電層和電極；背面依次設置薄層SiO2層、氫化非晶碳氧化硅薄膜層、C摻雜SiO2層、非晶硅摻雜P型層、TCO導電層和電極。非晶硅摻雜P型層包括輕摻B非晶硅層和重摻B非晶硅層。本發(fā)明以氫化非晶碳氧化硅薄膜作為本征鈍化層的異質(zhì)結(jié)太陽電池，實現(xiàn)對晶硅表面優(yōu)良的鈍化效果，減少界面載流子復合；同時采用改進的雙擴B工藝，防止B2H6摻雜時B原子向本征非晶硅層擴散帶來的禁帶寬度的降低和不必要的鈍化膜摻雜，提升硅異質(zhì)結(jié)電池的轉(zhuǎn)換效率。