一種無外部輸出電容的LDO電路系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111535933.7 申請日 -
公開（公告）號 CN114217660A 公開（公告）日 2022-03-22
申請公布號 CN114217660A 申請公布日 2022-03-22
分類號 G05F1/56（2006.01）I 分類 控制；調(diào)節(jié);
發(fā)明人 龐堅 申請（專利權(quán)）人 芯河半導(dǎo)體科技（無錫）有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 214135江蘇省無錫市新吳區(qū)菱湖大道200號中國傳感網(wǎng)國際創(chuàng)新園E1-301
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種無外部輸出電容的LDO電路系統(tǒng)，由兩個并聯(lián)環(huán)路組成；所述的第一環(huán)路，由輸入級、第一緩沖級、第一功率管輸出級、第一補償網(wǎng)絡(luò)、第二補償網(wǎng)絡(luò)、輸出電容和外部負(fù)載電阻組成，在小輸出電流下兩個環(huán)路共同決定整個環(huán)路的穩(wěn)定性；所述的第二環(huán)路，由輸入級、第二緩沖級、第二功率管輸出級、第一補償網(wǎng)絡(luò)、第二補償網(wǎng)絡(luò)、輸出電容和外部負(fù)載電阻組成，在中等電流以及大輸出電流下第二環(huán)路決定整個環(huán)路的穩(wěn)定性。本發(fā)明增加了第一緩沖級這部分電路，但是由此增加的芯片面積要遠(yuǎn)小于通過傳統(tǒng)方案措施導(dǎo)致補償電容的容值減小所占用的芯片面積；此外，小容值補償電容還可以提高擺率，進(jìn)一步提高負(fù)載瞬態(tài)性能。