化學機械拋光方法以及化學拋光系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910182532.4 申請日 -
公開（公告）號 CN110193775B 公開（公告）日 2021-09-17
申請公布號 CN110193775B 申請公布日 2021-09-17
分類號 B24B37/005;B24B37/013;B24B37/08;B24B37/28;B24B37/34;B24B55/06;B24B49/02;H01L21/66;H01L21/67 分類 磨削；拋光;
發(fā)明人 吳恬辛 申請（專利權）人 上海新昇半導體科技有限公司
代理機構 上海思微知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 劉翔
地址 201306 上海市浦東新區(qū)泥城鎮(zhèn)云水路1000號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種化學機械拋光方法及化學機械拋光裝置，充分考慮了化學機械拋光裝置上的晶片載體隨著長時間使用而導致的厚度變化對半導體晶片的拋光效果的影響，在設定用于半導體晶片拋光的工藝參數(shù)之前，先測量晶片載體的厚度，并計算出測得的晶片載體的厚度與待拋光的半導體晶片在完成拋光后的目標厚度之間的差值(即晶片載體相對拋光后的半導體晶片的突出量或者拋光后的半導體晶片相對晶片載體的突出量)，然后根據(jù)該差值設定用于半導體晶片拋光的工藝參數(shù)，當采用這組與該差值相關的半導體晶片拋光的工藝參數(shù)對該半導體晶片進行拋光后，該半導體晶片最終拋光后的拋光面的平整度會增加，因而提高了拋光效果。