拉晶爐的冷卻裝置以及拉晶爐

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202021535395.2 申請日 -
公開（公告）號 CN214168186U 公開（公告）日 2021-09-10
申請公布號 CN214168186U 申請公布日 2021-09-10
分類號 C30B15/00（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 沈偉民;王剛 申請（專利權）人 上海新昇半導體科技有限公司
代理機構 上海思捷知識產權代理有限公司 代理人 王宏婧
地址 201306上海市浦東新區(qū)泥城鎮(zhèn)云水路1000號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供了一種拉晶爐的冷卻裝置和拉晶爐，其中所述拉晶爐的冷卻裝置包括至少一個具有中空結構的管道，所述中空結構中容納有冷卻液，所述管道位于拉晶爐的腔室中，所述管道的管壁上形成有多個凸起和/或多個凹陷。即所述冷卻裝置通過在管壁上形成凸起和/或凹陷，增加了換熱面積，從而提高了冷卻液的換熱效率，降低了晶體的溫度以及增加了晶體的溫度梯度，因此，晶體的生長速度也得以提高。