一種大功率垂直結構紫外LED芯片的設計和制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110162460.4 申請日 -
公開（公告）號 CN112786752A 公開（公告）日 2021-05-11
申請公布號 CN112786752A 申請公布日 2021-05-11
分類號 H01L33/20;H01L33/12;H01L33/10;H01L33/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王曉波 申請（專利權）人 西安瑞芯光通信息科技有限公司
代理機構 北京盛凡佳華專利代理事務所（普通合伙） 代理人 孫瑞峰
地址 710065 陜西省西安市高新區(qū)高新路36號A1號樓二層C15室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開的屬于半導體電子信息技術領域，具體為一種大功率垂直結構紫外LED芯片的設計和制作方法，該大功率垂直結構紫外LED芯片的設計如下：采用藍寶石襯底作為生長基底，進行異質外延生長，運用MOCVD技術來完成整個外延過程，藍寶石襯底采用圖像化襯底，即PSS襯底,本襯底采用特殊設計，為頂角120°三棱錐結構，可以極大程度的提升光的發(fā)射效率，以及特殊的表面納米壓印和雙層圖形化微納處理，極大的提升紫外光LED的輻射功率和出光效率，改善電流擴散效率和芯片的散熱能力，從而可以提升芯片的制作尺寸，有效的改善了紫光LED器件的可靠性，能夠大規(guī)模適合工業(yè)級應用。