一種高功率密度的SOP8L封裝引線框架

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202121771184.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN215600357U 公開（公告）日 2022-01-21
申請(qǐng)公布號(hào) CN215600357U 申請(qǐng)公布日 2022-01-21
分類號(hào) H01L23/495（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇芯潭微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 214142江蘇省無錫市新吳區(qū)新區(qū)菱湖大道228號(hào)天安智慧城A1-704
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本文提出一種高功率密度的SOP8L封裝引線框架，框架通過在封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)的三基島，承載三個(gè)襯底電位不同的芯片，實(shí)現(xiàn)了多個(gè)低阻的N型功率MOSFET器件與控制芯片的集成，提升了帶載能力，提高了封裝的功率密度；通過三個(gè)基島在封裝外部部分裸露并與外部PCB相連，極大降低了封裝的熱阻，進(jìn)一步提高了封裝的功率密度；通過第一基島及其延展部分將信號(hào)側(cè)引腳與功率側(cè)引腳隔離開來，極大降低了功率側(cè)引腳對(duì)信號(hào)側(cè)引腳的耦合干擾。