一種碳包覆多孔硅氧化物材料及其制備方法和應(yīng)用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110363138.8 申請日 -
公開（公告）號 CN113517422A 公開（公告）日 2021-10-19
申請公布號 CN113517422A 申請公布日 2021-10-19
分類號 H01M4/36（2006.01）I;H01M4/48（2010.01）I;H01M4/62（2006.01）I;H01M4/131（2010.01）I;H01M10/0525（2010.01）I;C01B33/113（2006.01）I;C01B33/021（2006.01）I;C01B32/05（2017.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 顧華清;李婷;李輝;劉芳;馮蘇寧 申請（專利權(quán)）人 江西紫宸科技有限公司
代理機構(gòu) 北京慧誠智道知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 李楠
地址 330700江西省宜春市奉新縣奉新工業(yè)園區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種碳包覆多孔硅氧化物材料及其制備方法和應(yīng)用。碳包覆多孔硅氧化物材料包括：納米硅晶粒分散在氧化硅基體中構(gòu)成的多孔硅氧化物和包覆所述多孔硅氧化物的碳包覆層；所述多孔硅氧化物的通式為S i Ox，0.5