直拉式晶體生長(zhǎng)爐自動(dòng)控制方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200610050123.1 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN100383295C 公開(kāi)（公告）日 2008-04-23
申請(qǐng)公布號(hào) CN100383295C 申請(qǐng)公布日 2008-04-23
分類號(hào) C30B15/20(2006.01) 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 曹建偉;張俊;顧臨怡;邱敏秀 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 浙江大晶創(chuàng)業(yè)投資有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 代理人 浙江大學(xué);浙江大學(xué)創(chuàng)業(yè)投資有限公司
地址 310027浙江省杭州市西湖區(qū)浙大路38號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種直拉式晶體生長(zhǎng)爐自動(dòng)控制方法。將硅晶體原材料放到坩堝內(nèi)；利用氬氣保護(hù)控制模塊控制；并利用坩堝加熱與冷卻控制模塊控制坩堝加熱控制部件的功率和冷卻水的流量，綜合控制坩堝內(nèi)的普通硅原材料加熱熔化和外殼的冷卻進(jìn)行熔晶；啟動(dòng)坩堝與籽晶旋轉(zhuǎn)控制模塊進(jìn)行引晶放肩，使單晶硅在籽晶周圍形成一個(gè)圓錐；啟動(dòng)單晶直徑控制模塊進(jìn)行等徑控制；晶體生長(zhǎng)完成后收尾；冷卻后取出單晶硅產(chǎn)品。采用帶預(yù)測(cè)補(bǔ)償功能的晶體生長(zhǎng)控制策略，對(duì)坩堝內(nèi)溶液溫度、坩堝與籽晶提升速度、旋轉(zhuǎn)速度等參數(shù)進(jìn)行協(xié)調(diào)控制，在僅采用紅外探測(cè)型單晶直徑傳感器的條件下，仍能達(dá)到與進(jìn)口爐相當(dāng)?shù)木w產(chǎn)品完整性與均勻性，達(dá)到電路級(jí)要求。