IGBT焊接層空洞檢測裝置
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202121649423.8 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN215813284U | 公開（公告）日 | 2022-02-11 |
| 申請公布號 | CN215813284U | 申請公布日 | 2022-02-11 |
| 分類號 | G01R31/70（2020.01）I | 分類 | 測量；測試; |
| 發(fā)明人 | 張怡廷 | 申請（專利權(quán)）人 | 上汽英飛凌汽車功率半導(dǎo)體（上海）有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 焦天雷 |
| 地址 | 201206上海市浦東新區(qū)金吉路33弄2號三層 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實用新型公開了一種IGBT焊接層空洞檢測裝置，包括：電壓電源，其正極連接IGBT柵極，其負(fù)極連接IGBT發(fā)射極；電流電源，其正極連接IGBT集電極，其負(fù)極連接IGBT發(fā)射極，其能測量電壓。本實用新型的檢測裝置通過對IGBT進行加熱能使用電學(xué)測試的方法快速、準(zhǔn)確檢測出存在焊接層空洞的IGBT產(chǎn)品。 |
