硒化鉛光敏薄膜及可集成光電導(dǎo)傳感器的制備方法
基本信息

| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111568256.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(公告)號(hào) | CN114284152A | 公開(公告)日 | 2022-04-05 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114284152A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-04-05 |
| 分類號(hào) | H01L21/368(2006.01)I;H01L21/38(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 古瑞琴;高勝國;汪靜;郭海周;楊志博 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 鄭州煒盛電子科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 鄭州德勤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 王莉 |
| 地址 | 450001河南省鄭州市高新技術(shù)開發(fā)區(qū)金梭路299號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明提供了一種硒化鉛光敏薄膜的制備方法,包括步驟:以可溶性鉛鹽、強(qiáng)堿、硒源和可溶性鹵鹽為原料,采用化學(xué)浴法在襯底上沉積形成鹵素?fù)诫s的硒化鉛薄膜,制得鉛鹽薄膜基片;采用氧化劑溶液對(duì)所述鹵素?fù)诫s的硒化鉛薄膜進(jìn)行化學(xué)氧化,制得氧化薄膜基片,其中,所述氧化劑溶液為H2O2溶液或K2S2O8溶液;采用鹵素混合氣體對(duì)所述氧化薄膜基片進(jìn)行敏化處理使得所述襯底上形成硒化鉛光敏薄膜;其中,所述鹵素混合氣體為鹵氣與N2或O2的混合氣體。由上述方法制備的硒化鉛光敏薄膜能夠提高其光電靈敏度、響應(yīng)速度快和分辨率高,有效延長使用壽命。另外,本發(fā)明還提供一種利用上述硒化鉛光敏薄膜制備可集成光電導(dǎo)傳感器的方法。 |





