高紅外吸收率的復(fù)合膜層結(jié)構(gòu)及熱電堆芯片
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202121747428.4 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN216081789U | 公開（公告）日 | 2022-03-18 |
| 申請公布號 | CN216081789U | 申請公布日 | 2022-03-18 |
| 分類號 | G01J5/14（2006.01）I | 分類 | 測量；測試; |
| 發(fā)明人 | 古瑞琴;楊志博;任紅軍;郭海周;高勝國 | 申請（專利權(quán)）人 | 鄭州煒盛電子科技有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 鄭州德勤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 武亞楠 |
| 地址 | 450001河南省鄭州市高新技術(shù)開發(fā)區(qū)金梭路299號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實用新型提供一種高紅外吸收率的復(fù)合膜層結(jié)構(gòu)及熱電堆芯片，所述高紅外吸收率的復(fù)合膜層結(jié)構(gòu)包括氮化硅薄膜層，以及位于所述氮化硅薄膜層上表面的二氧化硅薄膜層；所述熱電堆芯片包括硅襯底、熱氧化層、隔絕層、第一熱電偶層、第一絕緣層、第二熱電偶層、第二絕緣層、電極焊盤層和所述高紅外吸收率的復(fù)合膜層結(jié)構(gòu)。本實用新型能夠大大提高紅外吸收率，并有效降低熱導(dǎo)率，在人體輻射波段具有較高的吸收率。 |
