一種晶界擴散制備釹鐵硼磁體的方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202010631985.3 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN111710519A | 公開（公告）日 | 2020-09-25 |
| 申請公布號 | CN111710519A | 申請公布日 | 2020-09-25 |
| 分類號 | H01F41/02(2006.01)I;H01F1/057(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 呂竹風;黃家熾 | 申請（專利權）人 | 寧德市星宇科技有限公司 |
| 代理機構 | 福州市博深專利事務所（普通合伙） | 代理人 | 寧德市星宇科技有限公司 |
| 地址 | 352100福建省寧德市東僑開發(fā)區(qū)團圓路8號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種晶界擴散制備釹鐵硼磁體的方法，包括將厚度為8～12mm的基礎釹鐵硼磁體經稀無機酸溶液處理后進行干燥；將擴散合金片Pr50Tb20Cu30附著在干燥后的基礎釹鐵硼磁體的上下表面，然后放在熱壓爐中，對熱壓爐抽真空，在真空狀態(tài)下進行升溫至700～800℃時，開始施加壓力20～30MPa，并保壓7～10h，然后泄壓至常壓、重新抽真空，繼續(xù)升溫至850～950℃，保溫1～2h；將擴散后的試樣在真空爐中先后于不同的溫度進行退火處理。本發(fā)明能生產出磁體矯頑力、剩磁且樣品厚度均令人滿意的釹鐵硼磁體。?? |
