過壓檢測電路、過流檢測電路以及保護檢測電路
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN202021382796.9 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN212622792U | 公開(公告)日 | 2021-02-26 |
| 申請公布號 | CN212622792U | 申請公布日 | 2021-02-26 |
| 分類號 | G01R19/165(2006.01)I | 分類 | 測量;測試; |
| 發(fā)明人 | 王釗 | 申請(專利權)人 | 無錫中感微電子股份有限公司 |
| 代理機構 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 214135江蘇省無錫市新區(qū)清源路18號太湖國際科技園傳感網大學科技園530大廈A1001 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本實用新型提供一種過壓檢測電路、過流檢測電路以及保護檢測電路,其中,過壓檢測電路包括:帶隙基準電壓產生電路,其用于產生帶隙基準電壓BG,其包括運算放大器OP、第一雙極型晶體管Q1和第二雙極型晶體管Q2;分壓電路,其用于基于受檢輸入電壓產生第一檢測電壓;比較器Comp1,其第一輸入端接收所述帶隙基準電壓BG,其第二輸入端接收所述第一檢測電壓;其中,所述第一雙極型晶體管和第二雙極型晶體管為PNP雙極型晶體管。與現有技術相比,本實用新型中,用于實現電壓檢測和/或電流檢測的雙極型晶體管可以采用普通的CMOS工藝中寄生的PNP型雙極型晶體管,從而減少光刻步驟,進而降低芯片的生產成本。?? |





