一種局域鈍化接觸結(jié)構(gòu)電池及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110749345.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113471304A 公開（公告）日 2021-10-01
申請(qǐng)公布號(hào) CN113471304A 申請(qǐng)公布日 2021-10-01
分類號(hào) H01L31/0216（2014.01）I;H01L31/0224（2006.01）I;H01L31/06（2012.01）I;H01L31/18（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 潘皓 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 同翎新能源（揚(yáng)州）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京知聯(lián)天下知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張迎新;史光偉
地址 225603江蘇省揚(yáng)州市高郵經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)洞庭湖路科技創(chuàng)業(yè)中心
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種局域鈍化接觸結(jié)構(gòu)電池及其制備方法,其技術(shù)方案要點(diǎn)是,包括N型硅基體，所述N型硅基體的正面設(shè)置有正電極，所述N型硅基體正面覆蓋有AlOx鈍化層或SiNx減反層，所述正電極穿過AlOx鈍化層或SiNx減反層與發(fā)射極接觸，所述N型硅基體背面設(shè)置有負(fù)電極，在其所述N型硅基體的背面制備隧穿氧化層，其中，在N型硅基體與負(fù)電極接觸區(qū)域不被刻蝕形成重?fù)诫s的n++poly層，在非電極接觸區(qū)域n++poly層被刻蝕減薄成輕摻雜的n+poly層。本發(fā)明通過在非金屬區(qū)域輕摻雜，減少n+poly層寄生吸收效應(yīng)，提高短路電流；在金屬區(qū)域重?fù)诫s，降低金屬接觸復(fù)合及接觸電阻，提升開路電壓及填充因子，進(jìn)一步提高電池效率。