發(fā)光二極管的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111398381.X 申請日 -
公開（公告）號 CN114156373A 公開（公告）日 2022-03-08
申請公布號 CN114156373A 申請公布日 2022-03-08
分類號 H01L33/00（2010.01）I;H01L33/06（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 郭濱剛;李州;徐華畢;陳嘉婷 申請（專利權）人 深圳市光科全息技術有限公司
代理機構(gòu) 深圳中細軟知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 王志強
地址 518055廣東省深圳市南山區(qū)西麗街道松坪山社區(qū)高新北六道27號蘭光科技大樓C505
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種發(fā)光二極管的制備方法，包括如下步驟：提供GaN襯底；通過掩膜法結(jié)合微區(qū)域元素擴散摻雜技術，在GaN襯底內(nèi)摻雜元素以形成沿著依次連接的p?GaN層、量子肼層和n?GaN層；在GaN襯底上形成間隔設置的第一導電層和第二導電層，第一導電層與p?GaN層電連接，第二導電層與n?GaN層電連接；在第一導電層上設置第一電極，在第二導電層上設置第二電極。這種發(fā)光二極管的制備方法在GaN襯底內(nèi)摻雜元素以形成沿著GaN襯底的平面方向依次連接的p?GaN層、量子肼層和n?GaN層。這種發(fā)光二極管的制備方法通過摻雜的方式形成P?N結(jié)，從而無需外延生長設備。與傳統(tǒng)方法相比，這種發(fā)光二極管的制備方法降低了生產(chǎn)成本。